YMTC가 294단급 낸드까지 올라오며 삼성전자의 286단급을 이미 넘어섰다. AI 생성 이미지 /챗GPT 중국 낸드가 한국을 몇 년 뒤에서 따라온다는 설명은 삼성전자에는 이미 맞지 않기 시작했다. 적층 단수만 놓고 보면 SK하이닉스가 321단급으로 앞서 있지만 양쯔메모리(YMTC)는 294단급까지 올라와 삼성전자의 286단급을 넘어섰다. 더 중요한 변화는 층수보다 제조구조에서 나타난다. 삼성전자는 400단 이상 10세대 V낸드에서 셀과 주변회로를 각각 다른 웨이퍼에서 만든 뒤 접합하는 BV-NAND 구조를 채택했다. YMTC가 엑스태킹으로 먼저 상용화해온 '분리 제작 후 본딩'이라는 방향을 삼성도 차세대 낸드에서 따라가기 시작한 것이다. 29일 여성경제신문이 글로벌 주요 낸드 업체들의 현행 적층 단수를 비교한 결과 YMTC는 294단급 낸드까지 올라오며 삼성전자의 286단급을 이미 넘어선 것으로 나타났다. SK하이닉스가 321단급으로 가장 높은 수준을 유지하고 있지만 적층 단수만 놓고 보면 중국 업체가 삼성전자를 추격하는 단계를 지나 앞선 셈이다. YMTC는 최근 투자자들에게 2027년 말까지 삼성전자와 SK하이닉스를 넘어 세계 최대 낸드플래시 생산업체가 되겠다는 목표도 제시했다. 회사는 상하이증권거래소 기업공개(IPO)를 통해 330억 위안(약 6조8000억원)을 조달하는 방안을 추진 중이며 자금 상당 부분을 생산시설 확충과 차세대 제품 연구개발에 투입할 예정이다. 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 글로벌 낸드 비트 출하량 기준 삼성전자는 25%, SK하이닉스는 22%를 차지했다. YMTC는 14%로 키옥시아를 근소하게 제치며 처음 세계 3위에 올라섰다. 지난해 같은 기간보다 출하량은 22% 증가했다. 매출에서도 빠르게 몸집을 키우고 있다. YMTC의 글로벌 낸드 매출 .유율은 지난해 1분기 8%에서 올해 1분기 13%로 1년 만에 5%포인트 상승했다. 같은 기간 삼성전자는 31%에서 29%로 낮아졌고 SK하이닉스는 16%에서 18%로 높아졌다. 출하량과 매출에서는 여전히 한국 업체들이 앞서 있지만 적층 기술만 떼어놓으면 상황이 다르다. 적층 단수에선 삼성 이미 넘어섰다 SK하이닉스 321단만 YMTC보다 높아 이제 추격보다 추월 이후를 봐야 야마토2 pc버전 YMTC는 294단급 낸드까지 올라온 것으로 평가된다. 삼성전자의 현행 286단급보다 높다. 적층 단수라는 하나의 기술지표만 놓고 보면 YMTC가 삼성전자를 추격하고 있는 단계가 아니라 이미 넘어선 상태다. 한국 업체 가운데서는 321단급 제품을 양산한 SK하이닉스가 YMTC보다 높은 위치를 유지하고 있다. 물론 294단이 286단보다 높다는 사실만으로 YMTC의 낸드가 삼성전자보다 우수하다고 단정할 수는 없다. 적층 단수는 3D 낸드 경쟁력을 구성하는 여러 변수 가운데 하나다. 같은 면적에 얼마나 많은 데이터를 저장하는지, 읽기·쓰기 속도와 전력효율은 어떤지, 수율과 신뢰성은 얼마나 안정적인지, 컨트롤러와 펌웨어까지 어떤 수준으로 결합되는지를 함께 봐야 실제 경쟁력이 드러난다. 그럼에도 '중국 낸드는 한국보다 몇 년 뒤'라는 설명을 적층 기술에 그대로 적용하기는 어려워졌다. 적어도 삼성전자와 YMTC 사이에서는 추격이 아니라 추월이 이미 일어났다. 국내 업체들도 다음 세대로 이동하고 있다. 삼성전자는 이달 열린 FMS 2026에서 400단 이상의 10세대 V낸드 'V10 BV-NAND'를 공개했고 SK하이닉스도 같은 행사에서 375단 10세대 4D 낸드를 처음 선보였다. SK하이닉스는 신제품의 전력 대비 성능이 기존 제품보다 2.5배 높아졌다고 설명했다. 다만 공개된 차세대 기술과 현재 양산 제품의 적층 단수는 구분해서 볼 필요가 있다. YMTC가 294단급까지 올라왔다는 사실은 현재 적층 경쟁에서 삼성의 286단급을 이미 넘어섰다는 의미이고 삼성과 SK하이닉스가 공개한 400단 이상·375단 제품은 그다음 세대의 경쟁이 다시 시작됐음을 보여준다. 여기서 YMTC를 단순히 층수를 빠르게 높인 중국 업체로만 보면 더 중요한 변화가 가려진다. 삼성전자가 다음 세대에서 단수를 다시 끌어올리는 동시에 제조구조에서는 오히려 YMTC가 먼저 상용화한 방향으로 움직이고 있기 때문이다. 셀과 회로, 웨이퍼부터 따로 만든다 공장과 제어실을 분리해 짓는 발상 YMTC 엑스태킹 핵심 구조 인포그래픽. AI 생성 이미지 /챗GPT 무료 바다이야기 낸드의 저장 원리가 전자의 터널링이라면 엑스태킹은 그 터널링이 일어나는 셀과 이를 제어하는 회로를 어떻게 만들고 연결할 것인가에 관한 제조 아키텍처다. 저장 원리를 바꾼 기술이 아니라 셀과 로직을 분리해 각각 최적화한 것이 핵심이다. 일반적인 3D 낸드는 하나의 웨이퍼 안에서 데이터를 저장하는 메모리 셀 어레이와 이를 읽고 쓰도록 제어하는 주변회로를 함께 구현한다. 최근에는 주변회로 위에 셀을 배치하는 방식으로 공간 효율을 높여왔지만 셀과 주변회로가 하나의 웨이퍼 공정 안에 묶여 있다는 기본 구조는 같다. 엑스태킹은 이 둘을 처음부터 분리한다. 수직으로 셀을 쌓은 낸드 어레이 웨이퍼와 데이터 입출력(I/O), 페이지 버퍼, 디코더, 전압 발생기 등 셀 동작을 제어하는 CMOS 주변회로 웨이퍼를 각각 별도 공정에서 제작한다. 이후 두 웨이퍼의 금속 접。을 정밀하게 맞대는 웨이퍼 투 웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩을 통해 하나로 결합한다. 핵심은 단순히 웨이퍼 두 장을 붙이는 데 있지 않다. 셀과 주변회로를 따로 만들면 각각의 역할에 맞춰 공정을 독립적으로 최적화할 수 있다. 셀 웨이퍼는 고적층과 집적도에 맞춰 설계하고 주변회로 웨이퍼는 트랜지스터 성능과 입출력 속도, 제어회로 효율을 높이는 데 집중할 수 있다. 쉽게 말하면 기존 방식이 하나의 공장 안에 생산라인과 제어실을 함께 배치한 뒤 생산라인을 위로 늘려가는 구조라면 엑스태킹은 저장 기능을 담당하는 공장과 제어 기능을 담당하는 공장을 각각 따로 지은 뒤 완성된 두 시설을 정밀하게 연결하는 방식에 가깝다. 한쪽 공정의 제약에 다른 쪽이 끌려가지 않고 각 기능에 맞춰 별도로 최적화할 수 있다는 것이 장.이다. 실제 집적도에서도 효과가 나타났다. 반도체 산업 분석기관 테크인사이츠는 YMTC의 초기 64단 엑스태킹 제품에서 메모리 어레이가 다이 면적의 90% 이상을 차지했고 당시 삼성전자 64단 V낸드보다 높은 비트 밀도를 구현했다고 분석했다. 128단 엑스태킹 2.0 기반 512Gb TLC 제품의 비트 밀도는 8.48Gb/㎟까지 높아졌다. 이후 232단 제품과 엑스태킹 4.0에서도 하이브리드 웨이퍼 본딩을 활용하며 고집적 구조를 계속 발전시켰다. 바다이야기 꽁머니 엑스태킹이 처음부터 업계의 검증된 선택지로 받아들여진 것은 아니다. YMTC가 2018년 처음 기술을 공개했을 당시 낸드 업계의 주류는 하나의 웨이퍼 안에서 셀과 주변회로를 함께 구현하는 방식이었다. 반면 엑스태킹은 두 웨이퍼를 각각 만든 뒤 다시 정밀하게 접합해야 해 공정이 복잡하고 비용과 수율 관리 부담도 컸다. 특히 웨이퍼 두 장 전체를 한꺼번에 결합하는 W2W 방식은 어느 한쪽에서 불량이 발생해도 최종 수율에 영향을 줄 수 있다. 수많은 미세 금속 접。을 정확히 맞춰야 하는 하이브리드 본딩 역시 당시에는 지금처럼 양산 경험이 충분히 축적된 공정이 아니었다. 하지만 낸드 적층이 200단과 300단을 넘어가면서 계산이 달라졌다. 셀을 계속 위로 쌓는 것만으로는 집적도와 성능을 동시에 끌어올리기 어려워졌고 주변회로가 차지하는 면적과 성능도 중요해졌다. 셀과 로직을 각각 별도 공정에서 최적화할 수 있는 구조가 고적층 시대에 다시 주목받기 시작한 이유다. 삼성 V10도 '분리 제작·본딩' 택했다 YMTC가 먼저 상용화한 방향과 겹쳐 관련 특허는 YMTC와 라이선스 계약 삼성전자 'V10 BV 낸드' /삼성전자 흥미로운 대목은 삼성전자 역시 차세대 낸드에서 이 같은 '분리 제작 후 본딩' 구조로 이동했다는 .이다. 삼성전자는 FMS 2026에서 셀과 주변회로를 각각 별도 웨이퍼에서 제작한 뒤 접합하는 10세대 'V10 BV-NAND'를 공개했다. 삼성전자가 개발한 것은 자체 Bonding V-NAND 구조다. YMTC의 엑스태킹을 그대로 가져온 것은 아니다. 그러나 메모리 셀과 CMOS 주변회로를 각각 별도 웨이퍼에서 만든 뒤 하이브리드 본딩으로 결합한다는 제조 방향에서는 두 기술이 겹친다. YMTC가 엑스태킹을 통해 먼저 여러 세대의 양산 제품에서 밀어붙인 방향으로 삼성전자도 차세대 낸드 구조를 전환한 셈이다. 여기에 관련 지식재산권까지 연결된다. 삼성전자는 3D 낸드용 하이브리드 본딩 관련 특허에 대해 YMTC와 라이선스 계약을 체결한 것으로 알려졌다. 엑스태킹 자체를 삼성에 이전했다는 의미는 아니지만 YMTC가 먼저 상용화 과정에서 쌓아온 하이브리드 본딩 지식재산권이 삼성의 차세대 낸드에서도 기술적 접.을 갖게 됐다는 。은 상징성이 크다. 모바일 바다이야기 시즌 한때 중국 업체의 독자적인 우회로로 여겨졌던 제조방식이 고적층 낸드의 유력한 설계 방향 가운데 하나로 올라섰고 세계 최대 낸드 업체인 삼성전자까지 같은 방향의 구조를 채택했다. 중국이 한국 기술을 몇 년 뒤 복제한다는 익숙한 구도로만 보면 설명되지 않는 장면이다. 서버용 eSSD 비중 낮아 매출은 아직 5위 출하량 추월과 수익성 경쟁은 다른 문제 그렇다고 YMTC가 삼성전자와 SK하이닉스의 모든 영역에서 같은 위치까지 올라왔다고 보기는 어렵다. 올해 2분기 YMTC는 출하량 기준 세계 3위지만 매출 기준으로는 마이크론과 키옥시아에도 뒤진 5위다. 카운터포인트는 이 차이의 배경으로 제품 구성을 꼽았다. YMTC의 판매가 상대적으로 가격이 낮은 소비자용 낸드에 많이 집중된 반면 AI 데이터센터에서 빠르게 성장하는 고성능 기업용 SSD(eSSD) 비중은 아직 낮기 때문이다. 올해 2분기 eSSD는 전체 낸드 비트 출하량의 48%까지 확대됐다. 1년 전 26%에서 두 배 가까이 높아졌다. AI 수요가 학습에서 추론으로 확산되면서 대규모 데이터셋과 KV캐시를 저장하기 위한 고성능 스토리지 수요가 커진 결과다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이 시장에서 이미 글로벌 데이터센터 고객과 제품·컨트롤러·펌웨어 기술을 축적해왔다. 반면 YMTC는 미국의 수출통제와 글로벌 고객 접근 제한으로 고부가 서버 시장 진입이 상대적으로 제한적이다. 적층 단수에서 삼성전자를 넘어섰다는 사실이 곧바로 제품 전체의 성능과 수익성, 고객 기반까지 역전했다는 의미는 아니다. 신규 공장 3곳, 월 10만 장씩 증설 추진 낸드 넘어 D램까지 중국 공급망 넓힌다 문제는 YMTC가 남아 있는 격차를 좁힐 자본과 생산능력을 동시에 키우고 있다는 .이다. 로이터에 따르면 YMTC는 기존 우한 공장에 더해 신규 공장 3곳을 추진하고 있다. 각 공장의 최종 생산능력은 웨이퍼 투입 기준 월 10만 장 규모다. 현재 가동 중인 두 공장의 생산능력이 합계 월 20만 장 수준이라는 .을 고려하면 계획이 모두 현실화될 경우 전체 생산능력은 크게 늘어날 수 있다. 사업 영역도 낸드 밖으로 넓어지고 있다. 낸드 전문기업으로 성장한 YMTC는 2년 넘게 자체 D램을 개발해왔으며 최근에는 저전력 D램 샘플을 고객사에 전달해 성능과 호환성 검증을 진행 중인 것으로 알려졌다. 이미 D램을 주력으로 하는 창신메모리(CXMT)에 YMTC까지 가세하면 중국 메모리 공급망의 외연은 한층 넓어진다 모바일 바다이야기릴게임공략 . CXMT가 DDR5와 LPDDR5를 중심으로 PC·모바일 시장에서 입지를 확대하는 상황에서 YMTC가 낸드에서 축적한 제조 경험과 자본을 D램으로 옮길 경우 중국 메모리 업체들이 삼성전자와 SK하이닉스를 압박하는 제품군도 넓어질 수 있다. 국내 업계에서는 여전히 YMTC와 삼성전자·SK하이닉스 사이에 제품 포트폴리오와 고객 기반, 양산 수율 측면의 격차가 있다고 본다. 특히 높은 신뢰성과 성능을 요구하는 AI 서버용 eSSD와 글로벌 고객 인증에서는 한국 업체들이 앞서 있다는 평가가 우세하다. 그러나 적층 단수라는 가장 눈에 보이는 기술지표에서 삼성전자가 이미 YMTC에 추월당했다는 사실은 기존의 기술격차 설명을 수정하게 만든다. 더구나 YMTC는 단순히 한국 업체가 먼저 만든 구조를 뒤쫓아온 것이 아니라 엑스태킹이라는 별도의 제조 아키텍처를 일찍 선택해 웨이퍼 본딩을 여러 세대의 실제 제품에 적용해왔다. 이제 삼성전자까지 차세대 V낸드에서 셀과 주변회로를 분리해 접합하는 방향으로 이동했다. 한국 메모리가 봐야 할 것은 YMTC가 몇 단까지 따라왔느냐는 숫자만이 아니다. 적층에서는 삼성전자를 이미 넘어섰고 제조구조에서는 자신들이 먼저 상용화한 방향으로 세계 1위 업체가 움직이기 시작했다. 여기에 거대한 중국 내수시장과 공격적인 생산능력 확대가 결합되고 있다. '한국이 먼저 만들고 중국이 몇 년 뒤 따라온다'는 시간표보다 누가 어떤 구조를 먼저 선택하고 실제 양산 경험을 쌓았는지를 봐야 하는 이유다. 신창환 고려대 전기전자공학과 교수는 "YMTC가 엑스태킹 기술로 낸드를 개발하겠다고 했을 당시에는 부정적인 시각이 많았다"며 "270단 3D 낸드까지 만들었다는 건 결국 기술적으로 거의 다 쫓아왔다는 의미"라고 말했다. ☞ 엑스태킹(Xtacking) = YMTC가 개발한 3D 낸드 제조구조다. 낸드의 저장 자체는 기존과 마찬가지로 전자의 터널링을 이용하지만 그 터널링이 일어나는 메모리 셀과 이를 읽고 쓰는 CMOS 주변회로를 별도의 웨이퍼에서 만든 뒤 정밀하게 접합한다. 셀과 로직을 각각 독립적으로 최적화할 수 있다는 것이 핵심이다. ☞ 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) = 두 웨이퍼나 칩의 미세한 금속 접。과 절연층을 직접 맞붙이는 첨단 접합 기술이다. 기존 범프 방식보다 연결 간격을 좁히고 데이터 이동 경로를 짧게 만들 수 있어 차세대 낸드와 HBM 등 고집적 반도체에서 중요성이 커지고 있다. 밀하게 접합한다.